0 0 0
  8. RGS80TS65DHRC11

Транзистори IGBT THT RGS80TS65DHRC11

 
RGS80TS65DHRC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670956
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 136Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
493.87 грн
3+
348.10 грн
8+
328.98 грн
450+
318.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
40А(1440987)
Струм колектора в імпульсі
120А(1441628)
Час ввімкнення
62нс(1627515)
Час вимкнення
291нс(1441615)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
136Вт(1740748)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
48нКл(1479306)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори IGBT THT RGS80TS65DHRC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670956
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 136Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
493.87 грн
3+
348.10 грн
8+
328.98 грн
450+
318.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
40А
Струм колектора в імпульсі
120А
Час ввімкнення
62нс
Час вимкнення
291нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
136Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
48нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g