0 0 0
  8. RGS80TSX2DHRC11

Транзистори IGBT THT RGS80TSX2DHRC11

 
RGS80TSX2DHRC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670951
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 277Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
904.10 грн
2+
636.45 грн
5+
602.20 грн
450+
583.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
40А(1440987)
Струм колектора в імпульсі
120А(1441628)
Час ввімкнення
89нс(1942547)
Час вимкнення
629нс(1942548)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
277Вт(1741750)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
104нКл(1744095)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори IGBT THT RGS80TSX2DHRC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670951
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 277Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
904.10 грн
2+
636.45 грн
5+
602.20 грн
450+
583.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
40А
Струм колектора в імпульсі
120А
Час ввімкнення
89нс
Час вимкнення
629нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
277Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
104нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g