0 0 0
  8. RGT16NL65DGTL

Транзистори IGBT SMD RGT16NL65DGTL

 
RGT16NL65DGTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686017
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 47Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
127.12 грн
5+
114.41 грн
12+
88.99 грн
31+
84.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
8А(1440886)
Струм колектора в імпульсі
24А(1713006)
Час ввімкнення
27нс(1621600)
Час вимкнення
170нс(1492980)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
47Вт(1741916)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
21нКл(1478964)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори IGBT SMD RGT16NL65DGTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686017
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 47Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
127.12 грн
5+
114.41 грн
12+
88.99 грн
31+
84.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
8А
Струм колектора в імпульсі
24А
Час ввімкнення
27нс
Час вимкнення
170нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
47Вт
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
21нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g