0 0 0
  8. RGT50NS65DGC9

Транзистори IGBT THT RGT50NS65DGC9

 
RGT50NS65DGC9
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686018
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; TO262
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
209.80 грн
5+
189.14 грн
7+
147.02 грн
19+
139.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO262(1478942)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
25А(1440980)
Струм колектора в імпульсі
75А(1694309)
Час ввімкнення
65нс(1626412)
Час вимкнення
210нс(1712985)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
97Вт(1740749)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
49нКл(1479032)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори IGBT THT RGT50NS65DGC9
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686018
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; TO262
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
209.80 грн
5+
189.14 грн
7+
147.02 грн
19+
139.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO262
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
25А
Струм колектора в імпульсі
75А
Час ввімкнення
65нс
Час вимкнення
210нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
97Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
49нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g