0 0 0
  8. RGT8BM65DTL

Транзистори IGBT SMD RGT8BM65DTL

 
RGT8BM65DTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686021
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 31Вт; TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.09 грн
5+
70.12 грн
18+
54.98 грн
50+
51.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
8А(1440886)
Струм колектора в імпульсі
12А(1757659)
Час ввімкнення
54нс(1717727)
Час вимкнення
158нс(1775337)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
31Вт(1741805)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
13,5нКл(1611304)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори IGBT SMD RGT8BM65DTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686021
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 31Вт; TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.09 грн
5+
70.12 грн
18+
54.98 грн
50+
51.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
8А
Струм колектора в імпульсі
12А
Час ввімкнення
54нс
Час вимкнення
158нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
31Вт
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
13,5нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g