0 0 0
  8. RGTH80TS65DGC11

Транзистори IGBT THT RGTH80TS65DGC11

 
RGTH80TS65DGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670959
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 117Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
299.51 грн
5+
225.43 грн
13+
212.68 грн
450+
205.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
40А(1440987)
Струм колектора в імпульсі
160А(1694411)
Час ввімкнення
84нс(1751681)
Час вимкнення
194нс(1942543)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
117Вт(1702081)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
79нКл(1479516)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори IGBT THT RGTH80TS65DGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670959
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 117Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
299.51 грн
5+
225.43 грн
13+
212.68 грн
450+
205.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
40А
Струм колектора в імпульсі
160А
Час ввімкнення
84нс
Час вимкнення
194нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
117Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
79нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g