0 0 0
  8. RGTV60TK65DGVC11

Транзистори IGBT THT RGTV60TK65DGVC11

 
RGTV60TK65DGVC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670960
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 38Вт; TO3PFM
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
373.59 грн
4+
264.46 грн
5+
263.66 грн
11+
249.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PFM(1776449)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
20А(1440977)
Струм колектора в імпульсі
120А(1441628)
Час ввімкнення
45нс(1441640)
Час вимкнення
201нс(1751669)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
38Вт(1449556)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
64нКл(1633539)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори IGBT THT RGTV60TK65DGVC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670960
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 38Вт; TO3PFM
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
373.59 грн
4+
264.46 грн
5+
263.66 грн
11+
249.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PFM
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
20А
Струм колектора в імпульсі
120А
Час ввімкнення
45нс
Час вимкнення
201нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
38Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
64нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g