0 0 0
  8. RQ3E070BNTB

Транзистори з каналом N SMD RQ3E070BNTB

 
RQ3E070BNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733229
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
33.96 грн
10+
26.20 грн
91+
11.40 грн
250+
10.76 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
15А(1441590)
Опір в стані провідності
39мОм(1479302)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
13Вт(1740776)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8,9нКл(1479156)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
28А(1801403)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD RQ3E070BNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733229
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
33.96 грн
10+
26.20 грн
91+
11.40 грн
250+
10.76 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
15А
Опір в стані провідності
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
13Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8,9нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
28А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g