0 0 0
  8. RQ3E100BNTB

Транзистори з каналом N SMD RQ3E100BNTB

 
RQ3E100BNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733306
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.69 грн
25+
16.45 грн
77+
12.87 грн
211+
12.16 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
21А(1441374)
Опір в стані провідності
15,3мОм(1942362)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
15Вт(1449537)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22нКл(1479158)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD RQ3E100BNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733306
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.69 грн
25+
16.45 грн
77+
12.87 грн
211+
12.16 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
21А
Опір в стані провідності
15,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g