Транзистори з каналом N SMD RQ3E110AJTB

 
RQ3E110AJTB
 
Артикул: 733322
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.01 грн
25+
18.83 грн
68+
14.62 грн
186+
13.82 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
24А(1441564)
Опір в стані провідності
16,5мОм(1479363)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
15Вт(1449537)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13,5нКл(1611304)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
44А(1789214)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD RQ3E110AJTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733322
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.01 грн
25+
18.83 грн
68+
14.62 грн
186+
13.82 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
24А
Опір в стані провідності
16,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13,5нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
44А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g