0 0 0
  8. RQ3E150BNTB

Транзистори з каналом N SMD RQ3E150BNTB

 
RQ3E150BNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733269
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.95 грн
5+
27.97 грн
25+
25.27 грн
50+
19.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSMT8(1951158)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
39А(1479333)
Опір в стані провідності
7,4мОм(1758581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
17Вт(1740767)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD RQ3E150BNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733269
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.95 грн
5+
27.97 грн
25+
25.27 грн
50+
19.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSMT8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
39А
Опір в стані провідності
7,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
17Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
45нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g