0 0 0
  8. RQ6E085BNTCR

Транзистори з каналом N SMD RQ6E085BNTCR

 
RQ6E085BNTCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733184
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8,5А; Idm: 18А; 1,25Вт; TSMT6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
33.96 грн
10+
29.27 грн
61+
17.14 грн
167+
16.17 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
8,5А(1479174)
Опір в стані провідності
17,3мОм(1950913)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
32,7нКл(1479044)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
18А(1741667)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD RQ6E085BNTCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733184
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8,5А; Idm: 18А; 1,25Вт; TSMT6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
33.96 грн
10+
29.27 грн
61+
17.14 грн
167+
16.17 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
8,5А
Опір в стані провідності
17,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
32,7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
18А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g