Транзистори з каналом P SMD RRF015P03TL

 
RRF015P03TL
 
Артикул: 622768
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; Idm: -6А; 0,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.39 грн
25+
12.67 грн
100+
10.07 грн
270+
9.53 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 1065 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323F(1838865)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-1,5А(1492280)
Опір в стані провідності
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,8Вт(1507583)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3,2нКл(1610016)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-6А(1810531)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g
 
Транзистори з каналом P SMD RRF015P03TL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622768
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; Idm: -6А; 0,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.39 грн
25+
12.67 грн
100+
10.07 грн
270+
9.53 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 1065 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323F
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-1,5А
Опір в стані провідності
0,16Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
3,2нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g