0 0 0
  8. RRH090P03TB1

Транзистори з каналом P SMD RRH090P03TB1

 
RRH090P03TB1
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622749
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
64.54 грн
5+
53.55 грн
25+
42.55 грн
27+
38.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-9А(1479033)
Опір в стані провідності
15,4мОм(1743895)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
56нКл(1479440)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-36А(1906447)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD RRH090P03TB1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622749
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
64.54 грн
5+
53.55 грн
25+
42.55 грн
27+
38.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-9А
Опір в стані провідності
15,4мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
56нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-36А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g