Транзистори з каналом P SMD RRL035P03TR

 
RRL035P03TR
 
Артикул: 622467
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.08 грн
10+
26.38 грн
73+
13.61 грн
200+
12.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-3,5А(1492400)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
8нКл(1479070)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-14А(1741668)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD RRL035P03TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622467
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.08 грн
10+
26.38 грн
73+
13.61 грн
200+
12.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-3,5А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-14А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g