0 0 0
  8. RRS100P03HZGTB

Транзистори з каналом P SMD RRS100P03HZGTB

 
RRS100P03HZGTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622511
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
70.71 грн
5+
63.56 грн
20+
50.85 грн
54+
47.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-10А(1479026)
Опір в стані провідності
12,6мОм(1479443)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
39нКл(1479127)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-40А(1810549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD RRS100P03HZGTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622511
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
70.71 грн
5+
63.56 грн
20+
50.85 грн
54+
47.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-10А
Опір в стані провідності
12,6мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
39нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g