0 0 0
  8. RS1E280GNTB

Транзистори з каналом N SMD RS1E280GNTB

 
RS1E280GNTB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733271
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 112А; 31Вт; HSOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.65 грн
5+
49.49 грн
25+
42.37 грн
68+
40.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSOP8(1635046)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
3,8мОм(1479538)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
31Вт(1741805)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
36нКл(1479151)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
112А(1812410)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD RS1E280GNTB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733271
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 112А; 31Вт; HSOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.65 грн
5+
49.49 грн
25+
42.37 грн
68+
40.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSOP8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
3,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
31Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
36нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
112А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g