0 0 0
  8. RSJ250P10FRATL

Транзистори з каналом P SMD RSJ250P10FRATL

 
RSJ250P10FRATL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 140895
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
129.20 грн
12+
82.94 грн
33+
78.96 грн
500+
75.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 341 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-25А(1492388)
Опір в стані провідності
63мОм(1479118)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
50Вт(1520816)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
60нКл(1479310)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-50А(1810523)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,605 g
 
Транзистори з каналом P SMD RSJ250P10FRATL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 140895
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
129.20 грн
12+
82.94 грн
33+
78.96 грн
500+
75.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 341 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-25А
Опір в стані провідності
63мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
50Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
60нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,605 g