0 0 0
  8. RU1C001UNTCL

Транзистори з каналом N SMD RU1C001UNTCL

 
RU1C001UNTCL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 485275
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
2.85 грн
100+
2.33 грн
500+
2.05 грн
562+
1.80 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323F(1838865)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,1А(1645012)
Опір в стані провідності
5,6Ом(1699008)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,15Вт(1701904)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,4А(1838841)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD RU1C001UNTCL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 485275
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
2.85 грн
100+
2.33 грн
500+
2.05 грн
562+
1.80 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323F
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,1А
Опір в стані провідності
5,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g