0 0 0
  8. RU1C001ZPTL

Транзистори з каналом P SMD RU1C001ZPTL

 
RU1C001ZPTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 492577
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
25+
3.38 грн
100+
3.06 грн
391+
2.50 грн
1075+
2.37 грн
Мін. замовлення: 25
Кратність: 1
Кількість: 1859 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323F(1838865)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-100мА(1536862)
Опір в стані провідності
6,8Ом(1707508)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,2Вт(1507579)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-0,4А(1709890)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g
 
Транзистори з каналом P SMD RU1C001ZPTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 492577
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
25+
3.38 грн
100+
3.06 грн
391+
2.50 грн
1075+
2.37 грн
Мін. замовлення: 25
Кратність: 1
Кількість: 1859 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323F
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-100мА
Опір в стані провідності
6,8Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-0,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g