0 0 0
  8. RU1J002YNTCL

Транзистори з каналом N SMD RU1J002YNTCL

 
RU1J002YNTCL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 485276
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.81 грн
50+
4.65 грн
250+
4.10 грн
270+
3.74 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 1
Кількість: 969 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323F(1838865)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
0,2А(1644064)
Опір в стані провідності
3,8Ом(1441366)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,15Вт(1701904)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,8А(1741653)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g
 
Транзистори з каналом N SMD RU1J002YNTCL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 485276
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.81 грн
50+
4.65 грн
250+
4.10 грн
270+
3.74 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 1
Кількість: 969 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323F
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
0,2А
Опір в стані провідності
3,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g