0 0 0
  8. RUC002N05HZGT116

Транзистори з каналом N SMD RUC002N05HZGT116

 
RUC002N05HZGT116
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733319
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.55 грн
100+
3.21 грн
420+
2.39 грн
1120+
2.31 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 20
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SST3(1951157)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
0,2А(1644064)
Опір в стані провідності
7,2Ом(1609658)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,35Вт(1701891)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
800А(1758574)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD RUC002N05HZGT116
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733319
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.55 грн
100+
3.21 грн
420+
2.39 грн
1120+
2.31 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 20
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SST3
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
0,2А
Опір в стані провідності
7,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,35Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
800А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g