Транзистори з каналом N SMD RUM001L02T2CL

 
RUM001L02T2CL
 
Артикул: 600436
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,1А; Idm: 0,4А; 150мВт; SOT723
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.02 грн
100+
3.26 грн
450+
2.26 грн
1235+
2.13 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Кількість: 8170 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT723(1636473)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,1А(1645012)
Опір в стані провідності
3,5Ом(1441512)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,15Вт(1701904)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,4А(1838841)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,006 g
 
Транзистори з каналом N SMD RUM001L02T2CL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 600436
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,1А; Idm: 0,4А; 150мВт; SOT723
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.02 грн
100+
3.26 грн
450+
2.26 грн
1235+
2.13 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Кількість: 8170 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT723
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,1А
Опір в стані провідності
3,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,006 g