Транзистори з каналом N SMD RUM002N05T2L

 
RUM002N05T2L
 
Артикул: 600453
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 150мВт; SOT723
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.94 грн
100+
5.40 грн
240+
4.21 грн
660+
3.98 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Кількість: 4385 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT723(1636473)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
0,2А(1644064)
Опір в стані провідності
2,2Ом(1441396)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,15Вт(1701904)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,8А(1741653)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,005 g
 
Транзистори з каналом N SMD RUM002N05T2L
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 600453
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 150мВт; SOT723
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.94 грн
100+
5.40 грн
240+
4.21 грн
660+
3.98 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Кількість: 4385 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT723
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
0,2А
Опір в стані провідності
2,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,005 g