0 0 0
  8. RV2C002UNT2L

Транзистори з каналом N SMD RV2C002UNT2L

 
RV2C002UNT2L
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733176
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 180мА; Idm: 0,6А; 100мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.03 грн
25+
9.38 грн
100+
7.47 грн
155+
6.60 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN1006-3(1789163)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,18А(1645013)
Опір в стані провідності
11,4Ом(1950918)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,1Вт(1741847)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,6А(1709879)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD RV2C002UNT2L
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733176
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 180мА; Idm: 0,6А; 100мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.03 грн
25+
9.38 грн
100+
7.47 грн
155+
6.60 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN1006-3
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,18А
Опір в стані провідності
11,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g