0 0 0
  8. RV2C010UNT2L

Транзистори з каналом N SMD RV2C010UNT2L

 
RV2C010UNT2L
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733294
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.51 грн
25+
9.85 грн
100+
8.66 грн
130+
7.63 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN1006-3(1789163)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
1А(1441586)
Опір в стані провідності
1,05Ом(1441606)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
2А(1709875)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD RV2C010UNT2L
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733294
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.51 грн
25+
9.85 грн
100+
8.66 грн
130+
7.63 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN1006-3
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
1А
Опір в стані провідності
1,05Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g