0 0 0
  8. RYC002N05T316

Транзистори з каналом N SMD RYC002N05T316

 
RYC002N05T316
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.71 грн
50+
4.39 грн
250+
3.89 грн
300+
3.44 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SST3(1951157)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
0,2А(1644064)
Опір в стані провідності
9Ом(1441411)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,35Вт(1701891)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,8А(1741653)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD RYC002N05T316
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.71 грн
50+
4.39 грн
250+
3.89 грн
300+
3.44 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SST3
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
0,2А
Опір в стані провідності
9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,35Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g