0 0 0
  8. SCT2160KEGC11

Транзистори з каналом N THT SCT2160KEGC11

 
SCT2160KEGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741270
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 22А; Idm: 55А; 165Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 054.96 грн
3+
997.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
22А(1441302)
Опір в стані провідності
208мОм(1950922)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
165Вт(1740783)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
62нКл(1479423)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-6...22В(1981147)
Струм стоку в імпульсі
55А(1792090)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT SCT2160KEGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741270
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 22А; Idm: 55А; 165Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 054.96 грн
3+
997.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
22А
Опір в стані провідності
208мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
165Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
62нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-6...22В
Струм стоку в імпульсі
55А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g