0 0 0
  8. SCT2280KEGC11

Транзистори з каналом N THT SCT2280KEGC11

 
SCT2280KEGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741313
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 14А; Idm: 35А; 108Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
938.68 грн
2+
662.17 грн
5+
625.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
14А(1441298)
Опір в стані провідності
364мОм(1950892)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
108Вт(1520843)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
36нКл(1479151)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-6...22В(1981147)
Струм стоку в імпульсі
35А(1789211)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT SCT2280KEGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741313
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 14А; Idm: 35А; 108Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
938.68 грн
2+
662.17 грн
5+
625.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
14А
Опір в стані провідності
364мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
108Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
36нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-6...22В
Струм стоку в імпульсі
35А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g