0 0 0
  8. SCT2450KEC

Транзистори з каналом N THT SCT2450KEC

 
SCT2450KEC
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 079900
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 7А; Idm: 25А; 85Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
985.86 грн
2+
677.53 грн
5+
640.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
7А(1441285)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
85Вт(1618986)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
27нКл(1479063)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-6...22В(1981147)
Струм стоку в імпульсі
25А(1742151)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,137 g
 
Транзистори з каналом N THT SCT2450KEC
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 079900
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 7А; Idm: 25А; 85Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
985.86 грн
2+
677.53 грн
5+
640.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
7А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
85Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
27нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-6...22В
Струм стоку в імпульсі
25А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,137 g