0 0 0
  8. SCT2H12NZGC11

Транзистори з каналом N THT SCT2H12NZGC11

 
SCT2H12NZGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741257
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 3,7А; Idm: 9,2А; 35Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
459.39 грн
3+
328.59 грн
9+
311.04 грн
450+
303.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PFM(1776449)
Напруга сток-джерело
1,7кВ(1593807)
Струм стока
3,7А(1441259)
Опір в стані провідності
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
35Вт(1707246)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
14нКл(1479029)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-6...22В(1981147)
Струм стоку в імпульсі
9,2А(1873980)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT SCT2H12NZGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741257
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 3,7А; Idm: 9,2А; 35Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
459.39 грн
3+
328.59 грн
9+
311.04 грн
450+
303.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PFM
Напруга сток-джерело
1,7кВ
Струм стока
3,7А
Опір в стані провідності
1,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
35Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
14нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-6...22В
Струм стоку в імпульсі
9,2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g