0 0 0
  8. SCT3030ALGC11

Транзистори з каналом N THT SCT3030ALGC11

 
SCT3030ALGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741312
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 70А; Idm: 175А; 262Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 371.08 грн
2+
2 241.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
70А(1441315)
Опір в стані провідності
39мОм(1479302)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
262Вт(1759513)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
104нКл(1744095)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-4...22В(1981554)
Струм стоку в імпульсі
175А(1790440)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT SCT3030ALGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741312
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 70А; Idm: 175А; 262Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 371.08 грн
2+
2 241.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
70А
Опір в стані провідності
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
262Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
104нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-4...22В
Струм стоку в імпульсі
175А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g