0 0 0
  8. SCT3040KRC14

Транзистори з каналом N THT SCT3040KRC14

 
SCT3040KRC14
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741276
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 55А; Idm: 137А; 262Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 436.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
55А(1441569)
Опір в стані провідності
52мОм(1479252)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
262Вт(1759513)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
107нКл(1512597)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-4...22В(1981554)
Струм стоку в імпульсі
137А(1933306)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT SCT3040KRC14
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741276
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 55А; Idm: 137А; 262Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 436.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
55А
Опір в стані провідності
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
262Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
107нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-4...22В
Струм стоку в імпульсі
137А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g