Транзистори з каналом N THT SCT3060ALGC11

 
SCT3060ALGC11
 
Артикул: 079902
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 39А; 165Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 207.19 грн
3+
1 141.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
39А(1479333)
Опір в стані провідності
60мОм(1441262)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
165Вт(1740783)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT SCT3060ALGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 079902
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 39А; 165Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 207.19 грн
3+
1 141.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
39А
Опір в стані провідності
60мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
165Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g