Транзистори багатоканальні SH8K11GZETB

 
SH8K11GZETB
 
Артикул: 740005
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
24.69 грн
25+
23.42 грн
55+
18.40 грн
150+
17.37 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
3,5А(1441257)
Опір в стані провідності
0,14Ом(1702961)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,9нКл(1479079)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
14А(1709893)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SH8K11GZETB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740005
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
24.69 грн
25+
23.42 грн
55+
18.40 грн
150+
17.37 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
3,5А
Опір в стані провідності
0,14Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
1,9нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
14А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g