0 0 0
  7. SH8K26GZ0TB

Транзистори багатоканальні SH8K26GZ0TB

 
SH8K26GZ0TB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739996
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.17 грн
46+
21.84 грн
125+
20.65 грн
10000+
19.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
6А(1441388)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
2,9нКл(1479119)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SH8K26GZ0TB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739996
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.17 грн
46+
21.84 грн
125+
20.65 грн
10000+
19.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
6А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
2,9нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g