0 0 0
  7. SH8K32GZETB

Транзисторы многоканальные SH8K32GZETB

 
SH8K32GZETB
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739967
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
48.31 грн
25+
40.68 грн
67+
38.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
4,5А(1441265)
Опір в стані провідності
77мОм(1643345)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
7нКл(1479104)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
18А(1741667)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SH8K32GZETB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739967
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
48.31 грн
25+
40.68 грн
67+
38.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
4,5А
Опір в стані провідності
77мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
18А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g