Транзистори багатоканальні SH8KC6TB1

 
SH8KC6TB1
 
Артикул: 739939
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.29 грн
10+
54.00 грн
39+
25.73 грн
107+
24.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 48 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
6,5А(1479157)
Опір в стані провідності
46мОм(1479134)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
7,6нКл(1479410)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
26А(1810486)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,114 g
 
Транзистори багатоканальні SH8KC6TB1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739939
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.29 грн
10+
54.00 грн
39+
25.73 грн
107+
24.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 48 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
6,5А
Опір в стані провідності
46мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
7,6нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
26А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,114 g