Транзистори багатоканальні SH8M51GZETB

 
SH8M51GZETB
 
Артикул: 739923
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 100/-100В; 3/-2,5А; Idm: 10÷12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
46.08 грн
25+
40.60 грн
26+
38.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напруга сток-джерело
100/-100В(1596093)
Струм стока
3/-2,5А(1950941)
Опір в стані провідності
190/340мОм(1950943)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8,5/12,5нКл(1950944)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
10...12А(1950942)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SH8M51GZETB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739923
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 100/-100В; 3/-2,5А; Idm: 10÷12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
46.08 грн
25+
40.60 грн
26+
38.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напруга сток-джерело
100/-100В
Струм стока
3/-2,5А
Опір в стані провідності
190/340мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8,5/12,5нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
10...12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g