Транзистори багатоканальні SH8MA2GZETB

 
SH8MA2GZETB
 
Артикул: 739995
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4,5/-4,5А; Idm: 12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.06 грн
25+
19.04 грн
68+
14.82 грн
186+
14.02 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напруга сток-джерело
30/-30В(1596055)
Струм стока
4,5/-4,5А(1996954)
Опір в стані провідності
125/115мОм(1950945)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
2,7Вт(1741762)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
3/6,7нКл(1950946)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SH8MA2GZETB
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739995
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4,5/-4,5А; Idm: 12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.06 грн
25+
19.04 грн
68+
14.82 грн
186+
14.02 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напруга сток-джерело
30/-30В
Струм стока
4,5/-4,5А
Опір в стані провідності
125/115мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
3/6,7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g