0 0 0
  7. US6K4TR

Транзистори багатоканальні US6K4TR

 
US6K4TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739933
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 1Вт; TUMT6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.06 грн
25+
16.65 грн
76+
13.14 грн
209+
12.43 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TUMT6(1951152)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
1,5А(1492350)
Опір в стані провідності
0,31Ом(1743026)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,8нКл(1633317)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
3А(1709877)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні US6K4TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739933
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 1Вт; TUMT6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.06 грн
25+
16.65 грн
76+
13.14 грн
209+
12.43 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TUMT6
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
1,5А
Опір в стані провідності
0,31Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
1,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
3А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g