0 0 0
  7. VT6M1T2CR

Транзистори багатоканальні VT6M1T2CR

 
VT6M1T2CR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 481163
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,1/-0,1А; Idm: 0,4А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.12 грн
25+
7.98 грн
100+
7.18 грн
185+
5.42 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VMT6(1838843)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
0,1/-0,1А(1996962)
Опір в стані провідності
3,5/3,8Ом(1838840)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,15Вт(1701904)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,4А(1838841)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні VT6M1T2CR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 481163
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,1/-0,1А; Idm: 0,4А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.12 грн
25+
7.98 грн
100+
7.18 грн
185+
5.42 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
VMT6
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
0,1/-0,1А
Опір в стані провідності
3,5/3,8Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g