Модули IGBT SEMIX206GD12T4P 27896030

 
SEMIX206GD12T4P 27896030
 
Артикул: 1008405
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
53 280.36 грн
12+
51 535.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
SEMIKRON(37)
Корпус
SEMiX® 6p(1988072)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
200А(1441734)
Струм колектора в імпульсі
600А(1441748)
Використання
для UPS(1471489) інвертор(1612514) перетворювач частоти(1612515) фотоелектрика(1827405)
Електричний монтаж
Press Fit(1448224)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топологія
3-фазний міст IGBT(1645602) термістор(1612517)
Додаткова інформація: Маса брутто: 325 g
 
Модули IGBT SEMIX206GD12T4P 27896030
SEMIKRON DANFOSS
Артикул: 1008405
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
53 280.36 грн
12+
51 535.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
SEMIKRON
Корпус
SEMiX® 6p
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
200А
Струм колектора в імпульсі
600А
Використання
для UPS
Використання
інвертор
Використання
перетворювач частоти
Використання
фотоелектрика
Електричний монтаж
Press Fit
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Топологія
3-фазний міст IGBT
Топологія
термістор
Додаткова інформація: Маса брутто: 325 g