0 0 0
  7. SK100GD12T7ETE2 24922310

Модулі IGBT SK100GD12T7ETE2 24922310

 
SK100GD12T7ETE2 24922310
 
SEMIKRON DANFOSS
Артикул: 1008432
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
19 535.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
SEMIKRON(37)
Корпус
SEMITOPE2(1974727)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
100А(1441720)
Струм колектора в імпульсі
200А(1441618)
Використання
для UPS(1471489) інвертор(1612514) перетворювач частоти(1612515) фотоелектрика(1827405)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топологія
термістор(1612517) IGBT three-phase bridge OE output(1951549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 25 g
 
Модулі IGBT SK100GD12T7ETE2 24922310
SEMIKRON DANFOSS
Артикул: 1008432
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
19 535.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
SEMIKRON
Корпус
SEMITOPE2
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
100А
Струм колектора в імпульсі
200А
Використання
для UPS
Використання
інвертор
Використання
перетворювач частоти
Використання
фотоелектрика
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Топологія
термістор
Топологія
IGBT three-phase bridge OE output
Додаткова інформація: Маса брутто: 25 g