0 0 0
  8. P0R5B60HP2-5071

Транзистори з каналом N SMD P0R5B60HP2-5071

 
P0R5B60HP2-5071
 
SHINDENGEN
Артикул: 449521
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.20 грн
3+
45.04 грн
10+
33.56 грн
25+
31.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2999 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
FB (TO252AA)(1829950)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
0,5А(1643334)
Опір в стані провідності
10Ом(1441657)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
35Вт(1707246)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
4,3нКл(1479177)
Технологія
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
2А(1709875)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,36 g
 
Транзистори з каналом N SMD P0R5B60HP2-5071
SHINDENGEN
Артикул: 449521
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.20 грн
3+
45.04 грн
10+
33.56 грн
25+
31.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2999 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
SMD
Корпус
FB (TO252AA)
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
0,5А
Опір в стані провідності
10Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
35Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
4,3нКл
Технологія
Hi-PotMOS2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,36 g