0 0 0
  8. P10F50HP2-5600

Транзисторы с каналом N THT P10F50HP2-5600

 
P10F50HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449671
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.85 грн
5+
73.98 грн
17+
59.03 грн
47+
55.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 40 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
79Вт(1740747)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Технологія
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,6 g
 
Транзисторы с каналом N THT P10F50HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449671
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.85 грн
5+
73.98 грн
17+
59.03 грн
47+
55.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 40 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
79Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
20нКл
Технологія
Hi-PotMOS2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,6 g