Транзистори з каналом N THT P12F60HP2-5600

 
P12F60HP2-5600
 
Артикул: 449673
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.73 грн
5+
78.96 грн
15+
68.59 грн
40+
64.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 338 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
670мОм(1823187)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
90Вт(1701929)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
26,5нКл(1609899)
Технологія
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
48А(1741686)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,553 g
 
Транзистори з каналом N THT P12F60HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449673
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.73 грн
5+
78.96 грн
15+
68.59 грн
40+
64.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 338 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
670мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
90Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
26,5нКл
Технологія
Hi-PotMOS2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
48А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,553 g