0 0 0
  8. P13F50HP2-5600

Транзистори з каналом N THT P13F50HP2-5600

 
P13F50HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449675
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.35 грн
5+
72.58 грн
16+
63.01 грн
44+
59.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 470 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
13А(1441372)
Опір в стані провідності
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
85Вт(1618986)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Технологія
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
52А(1789218)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,56 g
 
Транзистори з каналом N THT P13F50HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449675
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.35 грн
5+
72.58 грн
16+
63.01 грн
44+
59.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 470 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
13А
Опір в стані провідності
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
85Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
25нКл
Технологія
Hi-PotMOS2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
52А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,56 g