0 0 0
  8. P15F50HP2-5600

Транзистори з каналом N THT P15F50HP2-5600

 
P15F50HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449676
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
82.94 грн
5+
74.97 грн
16+
63.80 грн
43+
60.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 171 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
15А(1441590)
Опір в стані провідності
0,5Ом(1492338)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
90Вт(1701929)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
27нКл(1479063)
Технологія
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,564 g
 
Транзистори з каналом N THT P15F50HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449676
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
82.94 грн
5+
74.97 грн
16+
63.80 грн
43+
60.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 171 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
15А
Опір в стані провідності
0,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
90Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
27нКл
Технологія
Hi-PotMOS2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,564 g