0 0 0
  8. P22F10SN-5600

Транзистори з каналом N THT P22F10SN-5600

 
P22F10SN-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449682
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.47 грн
5+
56.84 грн
25+
47.71 грн
30+
34.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 35 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
22А(1441302)
Опір в стані провідності
28мОм(1441275)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
35Вт(1707246)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Заряд затвора
34нКл(1479140)
Технологія
EETMOS3(1829963)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
66А(1742462)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,6 g
 
Транзистори з каналом N THT P22F10SN-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449682
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.47 грн
5+
56.84 грн
25+
47.71 грн
30+
34.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 35 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
22А
Опір в стані провідності
28мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
35Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
розсипний
Заряд затвора
34нКл
Технологія
EETMOS3
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
66А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,6 g